삼성전자, 낸드 더블스텍 256단, MBCFET 등 반도체 핵심기술 소개
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삼성전자, 낸드 더블스텍 256단, MBCFET 등 반도체 핵심기술 소개
  • 박동현 기자
  • 승인 2020.12.02 00:03
  • 댓글 0
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1일 삼성전자에 따르면 회사는 30일 투자자를 대상으로 '삼성전자 인베스터스포럼 2020'을 열고 반도체 기술을 설명했다. 삼성전자 인베스터스포럼은 삼성전자가 국내외 기관투자자와 증권사 애널리스트들을 대상으로 매년 개최하는 기업설명회로 삼성전자의 현안과 기술, 미래 전략을 소개하는 자리다.
6세대 V낸드와 차세대 V낸드 2스택을 설명하는 PPT(삼성전자 인베스터스포럼 2020 갈무리)2020.12.01/뉴스1 © 뉴스1

(서울=뉴스1) 권구용 기자 = 삼성전자가 투자자를 대상으로 설명회를 열고 메모리·파운드리·이미지센서 분야에서 선도적 지위를 유지·석권하기 위한 기술들을 발표했다.

1일 삼성전자에 따르면 회사는 30일 투자자를 대상으로 '삼성전자 인베스터스포럼 2020'을 열고 반도체 기술을 설명했다. 삼성전자 인베스터스포럼은 삼성전자가 국내외 기관투자자와 증권사 애널리스트들을 대상으로 매년 개최하는 기업설명회로 삼성전자의 현안과 기술, 미래 전략을 소개하는 자리다.

올해 포럼은 Δ메모리사업부 Δ파운드리사업부 Δ시스템LSI 사업부 Δ무선사업부 Δ삼성리서치 등에서 각각 세션을 맡아 진행했다.

첫 발표자로 나선 한진만 메모리사업부 마케팅팀 전무는 "메모리 반도체 수요는 모바일과 서버에서 견조할 것"이라며 "차세대 V낸드는 현재 128단까지 쌓을 수 있는 싱글스택 6세대 V낸드를 투스택으로 기술로 최대 256단까지 쌓을 수 있다"고 밝혔다.

스택은 셀을 위로 쌓아올려 반도체의 집적도를 높이는 공법이다. 건물을 지어 올리는 것을 떠올리면 이해가 쉽다. 싱글 스택이 한번에 건물을 쌓아올리는 것이라면 더블스택은 적층 작업을 마친 낸드플래시 두 개를 이어붙여 단수를 높이는 기술이다. 싱글스택에 비해 더블스택으로 제작하면 시간과 공정이 더 들어가는 단점이 존재한다.

이런 점을 의식해서인지 한진만 전무는 "삼성의 스택 길이는 타 제조사보다 15%이상 낮다"며 "삼성은 매우 비용효율적인 공정을 사용해 생산성을 극대화한 공정을 구현할 것"이라고 설명했다.

D램과 관련해서는 극자외선(EUV)공정 생태계를 형성하기 위한 퀀텀 TF를 운영해오고 있다고 설명함면서 향후 한자릿수 공정의 D램 제조에 EUV 이상의 기술이 필요하지 않을 것이란 의견도 소개했다.

뒤이어 발표를 한 한승훈 파운드리사업부 전무는 MBCFET(Multi-Bridge Channel Field Effect Transistor)에 대해서 설명했다. MBCFET은 FinFET기술의 뒤를 잇는 차세대 반도체 트랜지스터 구조다.

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삼성의 독자적 GAA인 MBCFET을 설명하는 PPT(삼성전자 인베스터스포럼 2020 갈무리)2020.12.01/뉴스1 © 뉴스1

윗면-앞면-뒷면 등 총 3면을 트랜지스터의 게이트로 쓰는 FinFET 이후 개발된 게이트의 아랫면까지 모두 쓰는 4차원 방식의 기술인 GAA(Gate-All-Around)의 삼성전자만의 독자적 버전이 MBCFET다.

MBCFET은 기존에 가늘고 긴 와이어 형태의 GAA 구조를 한층 발전시켜 종이처럼 얇고 긴 모양의 나노시트를 적층하는 방식이다. 삼성전자는 세계 최초로 3나노 공정을 도입한 바 있다. 박용인 시스템LSI사업부 부사장은 CMOS 이미지센서 아이소셀을 소개하며 BSI(후면조사)기술에 대해서 설명했다.

이미지센서의 화소는 빛을 받아들이는 역할을 한다. 빛을 받아들이는 화소의 개수가 많을 수록 사물이 더 정교하게 표현된다. 문제는 화소수가 많아지면 개별 화소가 받아들이는 빛의 양은 적어지고 간섭현상이 더 생길 가능성이 있다는 점이다. 물감(빛)이 부족하면 세밀한 표현능력이 무용지물인 것과 마찬가지고, 점이 많아질수록 옆에 있는 점과 색이 섞일 수 있는 것(간섭)과 같다.

삼성전자의 아이소셀은 이름에서 알수 있듯 셀 사이에 물리적 격벽을 두어(isolate) 빛의 간섭을 막았다. BSI는 회로배선층이 포토다이오드 앞에 있어 받아들이는 빛을 적게한 구조적 문제점을 회로배선층을 뒤로 보내면서 수광율을 높인 기술이다.

박용인 부사장은 향후 2024년에는 스마트폰 후면 카메라의 개수가 3개인 제품이 41%, 4개인 제품이 44%를 차지할 것이란 조사결과를 인용하면서 스마트폰뿐 아니라 자율주행차와 드론 등에서 이미지센서 시장이 커져 오는 2030년에는 이미지 센서 시장이 1430억달러(약 158조원)규모가 될 것이라고 전망했다.

 

2030년 CMOS 이미지 센서 시장 전망 PPT(삼성전자 인베스터스포럼 2020 갈무리)2020.12.01/뉴스1 © 뉴스1

 

 

 

 

 

 

 

 


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